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Intense Terahertz Excitation of Semiconductors

New. Sprache: Englisch.
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Intense Terahertz Excitation of Semiconductors als Buch

Produktdetails

Titel: Intense Terahertz Excitation of Semiconductors
Autor/en: Sergey Ganichev, Willi Prettl

ISBN: 0198528302
EAN: 9780198528302
New.
Sprache: Englisch.
OXFORD UNIV PR

Februar 2006 - gebunden - 434 Seiten

Beschreibung

Intense Terahertz Excitation of Semiconductors presents the first comprehensive treatment of high-power terahertz applications to semiconductors and low-dimensional semiconductor structures. Terahertz properties of semiconductors are in the center of scientific activities because of the need of high-speed electronics. This research monograph brigdes the gap between microwave physics and photonics. It focuses on a core topic of semiconductor physics providing a full description of the state of the art of the field.

Inhaltsverzeichnis

1 Experimental Technique; 2 Tunneling in Terahertz Fields; 3 Multi-Photon Excitation Beyond the Perturbative Limit; 4 Saturation of Absorption; 5 Electron Gas Heating; 6 Terahertz Nonlinear Optics; 7 Terahertz Radiation Induced Currents; 8 Bloch Oscillations

Portrait

Willi Prettl Department of Physics Universität Regensburg D93040 Regensburg Germany

Pressestimmen

."..a useful book...in a strongly growing research area."--Arthur Gossard, University of California at Santa Barbara
."..important and topical...with a good range of topics...and an audience amoung semiconductor physicists, but also advanced students who are interested in terahertz electronics and high-power terahertz research."--Carl Pidgeon, Heriot Watt University, Edinburgh

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