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Analysis and Simulation of Heterostructure Devices

'Computational Microelectronics'. Sprache: Englisch.
Buch (gebunden)
The topic of this monograph is the physical modeling of heterostructure devices. A detailed discussion of physical models and parameters for compound semiconductors is presented including the relevant aspects of modern submicron heterostructure devic … weiterlesen
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Produktdetails

Titel: Analysis and Simulation of Heterostructure Devices
Autor/en: Vassil Palankovski, Rüdiger Quay

ISBN: 3211405372
EAN: 9783211405376
'Computational Microelectronics'.
Sprache: Englisch.
Springer, Wien

18. Dezember 2003 - gebunden - 289 Seiten

Beschreibung

The topic of this monograph is the physical modeling of heterostructure devices. A detailed discussion of physical models and parameters for compound semiconductors is presented including the relevant aspects of modern submicron heterostructure devices. More than 25 simulation examples for different types of Si(Ge)-based, GaAs-based, InP-based, and GaN-based heterostructure bipolar transistors (HBTs) and high electron mobility transistors (HEMTs) are given in comparison with experimental data from state-of-the-art devices.

Inhaltsverzeichnis

List of Acronyms List of Symbols Introduction State-of-the-Art of Materials, Device Modeling, and RF Devices Physical Models RF Parameter Extraction for HEMTs and HBTs Heterojunction Bipolar Transistors High Electron Mobility Transistors Novel Devices Appendix: Benchmark Structures References
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