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Analysis and Simulation of Heterostructure Devices

'Computational Microelectronics'. Auflage 2004. Book. Sprache: Englisch.
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The topic of this monograph is the physical modeling of heterostructure devices. A detailed discussion of physical models and parameters for compound semiconductors is presented including the relevant aspects of modern submicron heterostructure devic … weiterlesen
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Produktdetails

Titel: Analysis and Simulation of Heterostructure Devices
Autor/en: Vassil Palankovski, Rüdiger Quay

ISBN: 3211405372
EAN: 9783211405376
'Computational Microelectronics'.
Auflage 2004.
Book.
Sprache: Englisch.
Springer Vienna

18. Dezember 2003 - gebunden - 324 Seiten

Beschreibung

The topic of this monograph is the physical modeling of heterostructure devices. A detailed discussion of physical models and parameters for compound semiconductors is presented including the relevant aspects of modern submicron heterostructure devices. More than 25 simulation examples for different types of Si(Ge)-based, GaAs-based, InP-based, and GaN-based heterostructure bipolar transistors (HBTs) and high electron mobility transistors (HEMTs) are given in comparison with experimental data from state-of-the-art devices.

Inhaltsverzeichnis

List of Acronyms List of Symbols Introduction State-of-the-Art of Materials, Device Modeling, and RF Devices Physical Models RF Parameter Extraction for HEMTs and HBTs Heterojunction Bipolar Transistors High Electron Mobility Transistors Novel Devices Appendix: Benchmark Structures References

Portrait

Rüdiger Quay was born in Köln, Germany, in 1971. He studied physics and economics at the University of Bonn and the RWTH Aachen, where he received his "Diplom" in physics in 1997. In summer 1996 he held a visiting research position at Los Alamos National Laboratory, New Mexico, USA, for his master's thesis. In 1999, he was a visiting researcher at the Beckman Institute, University of Illinois, Urbana Champaign. In 2001 he received the doctoral degree in technical sciences with honors from the Technische Universität Wien, Austria. He has published more than 30 refereed publications and he is one of the authors of the book "Analysis and Simulation of Heterostructure Devices". His scientific interests include RF-semiconductor device and process development, heterostructure device modeling and simulation, and circuit and reliability issues. Rüdiger Quay currently is a research engineer at Fraunhofer Institute for Applied Solid-State Physics (IAF) in Freiburg, Germany, involved in the development and large-signal characterization of high-power and high-speed AlGaN/GaN amplifiers and the development of high-speed InP HBTs for high data rate communication at 80~Gbit/s and beyond.
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