Niederdruckplasmen und Mikrostrukturtechnik

1 Einleitung. - 2 Das Plasma. - 2. 1 Gleichstrom-Glimmentladung. - 2. 2 Temperaturverteilung im Plasma. - 2. 3 Ladungsneutralisation im ungestörten Plasma. - 2. 4 Potentialvariation im Plasma. - 2. 5 Temperatur und Dichte der Elektronen. - 2. 6 Plasmaschwingungen. - 2. 7 Ôhnlichkeitsgesetze. - 3 Ladungsträger. - 3. 1 Streutheorie. - Elastische Stöße. - 3. 3 Unelastische Stöße. - 3. 4 Sekundärelektronen-Erzeugung an Oberflächen. - 3. 5 Verlustmechanismen. - 4 DC-Entladungen. - 4. 1 Ionisierung in der Kathodenzone. - 4. 2 Negative Glühzone und Positive Säule. - 4. 3 Anodenzone. - 4. 4 Hohlkathodenentladungen. - 5 HF-Entladungen I. - 5. 1 Beschreibung der Ladungsträgererzeugung. - 5. 2 HF-Kopplung: Qualitative Beschreibung. - 5. 3 HF-Kopplung: Quantitative Beschreibung. - 5. 4 Abgleichsnetzwerke. - 6 HF-Entladungen II. - 6. 1 Elektrodenvorgänge in kapazitiv gekoppelten Plasmen. - 6. 2 Feldstärken in der Randschicht bei steigender Anregungsfrequenz. - 6. 3 Symmetrisches System. - 6. 4 Asymmetrisches System. - 6. 5 Self-Bias der RF-Elektroden. - 6. 6 Streumechanismen. - 7 HF-Entladungen III. - 7. 1 Hoch-Dichte-Plasmen. - 7. 2 Induktiv gekoppelte Plasmen. - 7. 3 Magnetfeld-unterstützte Anregung von Plasmen. - 7. 4 Whistlerwellen und Systeme mit gekoppelter Resonanz. - 7. 5 ECR-Quellen. - 7. 6 Vergleich der Hochdichteplasma-Entladungen. - 8 Ionenstrahlsysteme. - 8. 1 Plasmaquellen. - 8. 2 Gitteroptik. - 8. 3 Qualitative Betrachtung der Ionenextraktion. - 8. 4 Quantitative Betrachtungen zum Ionenstrom. - 8. 5 Neutralisierung. - 8. 6 Prozeßoptimierung. - 8. 7 Uniformität. - Plasma-Diagnostik. - 9. 1 Langmuir-Sonde. - 9. 3 Self-Excited Electron Resonance Spectroscopy (SEERS). - 9. 4 Impedanzanalyse. - 9. 5 Optische Emissions-Spektroskopie (OES). - 9. 6 Zusammenfassung. - 10 Sputtern. - 10. 1 Kinetik. - 10. 2 Sputterbedingungen. - 10. 3 Probleme derKontamination. - 10. 4 Bias-Techniken. - 10. 5 Deposition von Mehrkomponenten-Filmen. - 10. 6 Probleme der Kohäsion. - 10. 7 Sputtersysteme mit erhöhter Plasmadichte. - 10. 8 Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition (PECVD). - 10. 9 Ionenstrahlbeschichtung. - 11 Trockenätzverfahren. - 11. 1 Sputterätzen. - 11. 2 Reaktive ätzverfahren. - 11. 3 Abhängigkeit von einzelnen Parametern. - 11. 4 Charakteristika des Trockenätzens. - 11. 5 Spezielle Charakteristika des Ionenstrahlätzens. - 11. 6 Damage. - 11. 7 Ôtztopographie. - 11. 8 Prozeßkontrolle. - 12 Ôtzmechanismen. - 12. 1 Rückblick. - 12. 2 Quantitative Berechnung mit der Langmuir-Theorie. - 12. 3 . . . und beim Ionenätzen? . - 12. 4 Simulation von Trockenätzungen. - 12. 5 Ôtzverhalten von Si und seinen Verbindungen. - 12. 6 Ôtzverhalten von III/V-Verbindungshalbleitern. - 12. 7 Kombination verschiedene Ôtzverfahren. - 12. 8 Oberflächenreinigung. - 12. 9 Anlagen-Design. - 13 Ausblick. - 14 Anhang. - 14. 1 Elektronen-Energieverteilungen (EEDFs). - 14. 2 Die Bohmsche Übergangszone. - 14. 3 Plasmaschwingungen. - 14. 4 Kapazitive Kopplung im RF-System. - 14. 5 Bewegung im magnetischen Feld. - 14. 6 Cutoff und Skintiefe des E-Feldes in einer HF-Entladung. - 14. 7 Eigenschaften der Whistlerwellen. - 15 Verwendete Symbole und Akronyme. - 16 Bildquellennachweis. - Register.