Photostrom-Spektroskopie von Silicium

Das vorliegende Buch dokumentiert umfassende experimentelle und theoretische Untersuchungen zur Injektionsabh igkeit von Photo strom-Messungen. Die Injektionsabh igkeit der Ladungstr r le bens dauer von Eisen-kontaminierten bordotierten Siliciumproben wurde mit dem konventionellen Elymat-Verfahren experimentell ermit telt und durch zweidimensionale Simulationen verifiziert. Die dabei gewonnenen Ergebnisse sind von grundlegender Bedeutung f r die ebenfalls erfolgte Charakterisierung von Isolator/Silicium-Strukturen mit einem modifizierten Elymat-Verfahren. Erstmals ist es mit dieser Messmethode gelungen, die Grenzfl enzustandsdichte und die Isolatorvolumenladung quantitativ zu bestimmen. Das Buch richtet sich an Ingenieure und Physiker aus dem Gebiet der Halbleiterphysik und -messtechnik.