Fundamentals of Power Semiconductor Devices

Sprache: Englisch. Dateigröße in MByte: 27.
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This book provides an in-depth treatment of the physics of operation of power semiconductor devices that are commonly used by the power electronics industry. Analytical models for explaining the operation of all power semiconductor devices are shown.

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Produktdetails

Titel: Fundamentals of Power Semiconductor Devices
Autor/en: B. Jayant Baliga

ISBN: 9780387473147
EAN: 9780387473147
Format:  PDF
Sprache: Englisch.
Dateigröße in MByte: 27.
Springer-Verlag GmbH

2. April 2010 - pdf eBook

Beschreibung

Fundamentals of Power Semiconductor Devices provides an in-depth treatment of the physics of operation of power semiconductor devices that are commonly used by the power electronics industry. Analytical models for explaining the operation of all power semiconductor devices are shown. The treatment here focuses on silicon devices but includes the unique attributes and design requirements for emerging silicon carbide devices. The book will appeal to practicing engineers in the power semiconductor device community.

Inhaltsverzeichnis

Introduction.
Material properties and transport physics.
Breakdown voltage.
Schottky rectifiers.
P-i-N rectifiers.
Power MOSFETs.
Bipolar junction transistors.
Thyristors.
Insulated gate bipolar transistors.
Synopsis.

Leseprobe

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