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Integrierte Schaltkreise werden immer komplexer - deshalb wird es zunehmend schwieriger, Fehler schnell und treffsicher aufzuspüren. Die Photonenemissionsmikroskopie (PEM) ist eine Analysetechnik auf physikalischer Grundlage, die sich als Fehlererkennungsmethode bewährt hat. Dieser Band erläutert alle Aspekte dieser Methode, von der instrumentellen Ausrüstung über spezifische Details der Mikroskope bis hin zu Merkmalen der Photonenemission unter verschiedenen Bedingungen. (11/00)
Inhaltsverzeichnis
Preface.
Introduction.
Theory of Light Emission in Semiconductors.
Instrumentation Aspects of the Photon Emission Microscope.
Backside Photon Emission Microscopy.
Spectroscopic Photon Emission Microscopy.
Photon Emission from Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors under Hot-Carrier Stressing.
Photon Emission from Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors under High-Field Impulse Stressing.
Oxide Degradation and Photon Emission from Metal-Oxide Semiconductor Capacitor Structures.
Index.
Introduction.
Theory of Light Emission in Semiconductors.
Instrumentation Aspects of the Photon Emission Microscope.
Backside Photon Emission Microscopy.
Spectroscopic Photon Emission Microscopy.
Photon Emission from Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors under Hot-Carrier Stressing.
Photon Emission from Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors under High-Field Impulse Stressing.
Oxide Degradation and Photon Emission from Metal-Oxide Semiconductor Capacitor Structures.
Index.
Produktdetails
Erscheinungsdatum
22. Dezember 2000
Sprache
englisch
Seitenanzahl
288
Autor/Autorin
Wai Kin Chim
Verlag/Hersteller
Produktart
gebunden
Gewicht
743 g
Größe (L/B/H)
260/183/20 mm
ISBN
9780471492405
Pressestimmen
"This reference details the principles of design, calibration, and useof photon emission microscopy (PEM) as a fault localization technique used for analyzing device reliability and failure." (SciTech Book News Vol. 25, No. 2 June 2001)
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