Integrierte Schaltkreise werden immer komplexer - deshalb wird es zunehmend schwieriger, Fehler schnell und treffsicher aufzuspüren. Die Photonenemissionsmikroskopie (PEM) ist eine Analysetechnik auf physikalischer Grundlage, die sich als Fehlererkennungsmethode bewährt hat. Dieser Band erläutert alle Aspekte dieser Methode, von der instrumentellen Ausrüstung über spezifische Details der Mikroskope bis hin zu Merkmalen der Photonenemission unter verschiedenen Bedingungen. (11/00)
Inhaltsverzeichnis
Preface.
Introduction.
Theory of Light Emission in Semiconductors.
Instrumentation Aspects of the Photon Emission Microscope.
Backside Photon Emission Microscopy.
Spectroscopic Photon Emission Microscopy.
Photon Emission from Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors under Hot-Carrier Stressing.
Photon Emission from Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors under High-Field Impulse Stressing.
Oxide Degradation and Photon Emission from Metal-Oxide Semiconductor Capacitor Structures.
Index.
