Herstellungstechnologie gegeben.
Inhaltsverzeichnis
1 Elektronen gas. - 1. 1 Eingeschlossene Elektronen. - 1. 2 Besetzungsstatistik. - 1. 3 Eigenschaften von Boltzmanngasen. - 2 Bandstruktur von Festkörpern. - 2. 1 Elektronen in Kristallgittern. - 2. 2 Elektronen und Löcher in Energiebändern. - 3 Halbleiterwerkstoffe Germanium, Silizium und Galliumarsenid. - 3. 1 Eigenschaften der reinen Werkstoffe. - 3. 2 Legierungen. - 3. 3 Polykristalline und amorphe Werkstoffe. - 4 Bändermodell von Halbleitern. - 4. 1 Kenngrößen des Bändermodells. - 4. 2 Besetzungsstatistik und Dotierung. - 4. 3 Ladungstransport. - 5 Halbleiterübergänge. - 5. 1 Thermisches Gleichgewicht an Halbleiterübergängen. - 5. 2 Übergänge zwischen Halbleitern. - 5. 3 Übergänge zwischen Halbleitern und Nichthalbleiternx. - 6 Überschuüladungsträger. - 6. 1 Ausgleich unterschiedlicher Ladungsträgerdichten. - 6. 2 Elektron-Loch-Paare. - 6. 3 Kontinuitätsgleichung mit Generation und Rekombination von Ladungsträgern. - 7 Stromfluü über Barrieren. - 7. 1 Energiebarrieren bei Halbleiterübergängen. - 7. 2 Stromfluümodelle. - 7. 3 Vergleich der Stromfluümodelle. - 8 Halbleitertechnologie. - 8. 1 Herstellung von Halbleiterscheiben. - 8. 2 Die Planartechnologie. - 8. 3 Bonden. Gehäuse und Normen. - 9 Dioden. - 9. 1 Energiebarrieren als Bauelemente. - 9. 2 Schottky-Dioden. - 9. 3 pn-Dioden. - 9. 4 MIS-Dioden. - 9. 5 Diodenanwendungen. - 10 Transistoren. - 10. 1 Steuerbare Energiebarrieren und gesättigte Kennlinien. - 10. 2 Bipolare Transistoren. - 10. 3 Sperrschicht-Feldeffekt-Transistorenx. - 10. 4 MOS-Feldeffekt-Transistoren. - 10. 5 Transistoranwendungen. - 11 Thyristoren. - 11. 1 Elektrische Kenndaten. - 11. 2 RCTs, DIACs, TRIACs, GTOs. - 12 Integrierte Schaltungen. - 12. 1 Bipolare integrierte Schaltungen. - 12. 2 Integrierte MOS-Schaltungen. - 13. Wärme in Halbleiterbauelementen. - 13. 1 Wärmeentstehung und -ableitung. -13. 2 Sicherer Arbeitsbereich (SOAR). - 14. Rauschen. - 14. 1 Rauschquellen. - 14. 2 Einfluü auf die Bauelementeigenschaften. - Literatur. - A. Dimensionen und Formelzeichen. - B. Naturkonstanten. - C. Teilchenbewegung und Teilchenstrom. - Cl: Ballistische Bewegung. - C2: Teilchenstromdichte. - C3: Kontinuitätsgleichung. - C4: Raumladungsbegrenzter Strom. - D. Vierpolkoeffizienten. - E. Englische Fachausdrücke. - F. Gehäusetypen von Halbleiterbauelementen. - Stichwortverzeichnis.
