Inhaltsverzeichnis
1. Einführung. - 2. Analytische und experimentelle Erfassung des analogen Großsignalbetriebs von Feldeffekttransistoren ohne Berücksichtigung dynamischer Effekte. - 3. Entwurf des Modells. - 3. 1 Kennlinienmodell im Sättigungsgebiet für konstante Drain-Source-Spannung. - 3. 2 Kennlinienmodell im Sättigungsgebiet für variable Drain-Source-Spannung. - 3. 3 Differentielle Größen. - 3. 4 Besonderheiten des Modells. - 3. 5 Grenzen des Modells. - 4. Bestimmung der Parameter des Modells aus den gemessenen Kennlinien des Feldeffekttransistors. - 4. 1 Bezugsspannung UDS0. - 4. 2 Parameter Iq und ß. - 4. 3 Parameter Uth. - 4. 4 Parameter C. - 4. 5 Parameter RS. - 4. 6 Verhältnis UE/n. - 4. 7 Parameter m und p. - 4. 8 Parameter n, t und UE. - 4. 9 Parameter von PNFET und MOSFET. - 5. Überprüfung des Modells. - 5. 1 PNFET. - 5. 2 MOSFET. - 6. Berechnung der Harmonischen des Drainstromes. - 7. Ermittlung der Harmonischen des Drainstromes der Sourceschaltung. - 7. 1 Typische Kennlinien der Harmonischen des Drainstromes als Funktion der Gate-Source-Spannung. - 7. 2 Harmonische des Drainstromes des PNFET in Sourceschaltung. - 7. 3 Harmonische des Drainstromes des MOSFET in Sourceschaltung. - 8. Zusammenfassung. - 9. Literatur.
