Die Bauelemente der Elektronik werden für Ingenieure, Techniker und Facharbeiter umfassend, übersichtlich und leichtverständlich dargestellt. Darüber hinaus finden auch Nichttechniker und Schüler einen ballastarmen Einstieg in das weite Gebiet der Elektronik. Durch seine übersichtliche Struktur kann das Werk sowohl unterrichtsbegleitend als auch im Selbststudium eingesetzt werden. Lernziel-Tests zu jedem Kapitel überprüfen den Wissensstand.
- Einführung in die Oszillographenmeßtechnik
- Lineare und nichtlineare Widerstände
- Kondensatoren und Spulen
- Frequenzabhängige Zwei- und Vierpole
- Halbleiterdioden
- Bipolare und unipolare Transistoren
- Integrierte Schaltungen
- Thyristoren, Diac und Triac
- Fotorhalbleiter, Halbleiterelemente mit speziellen Eigenschaften
- Elektronen- und Ionenröhren
Inhaltsverzeichnis
1;Titel;3 2;Impressum, Copyright;4 3;Vorwort;5 4;Inhaltsverzeichnis;7 5;1 Einführung in die Oszillographenmesstechnik;15 5.1;1.1 Allgemeines;15 5.2;1.2 Aufbau und Arbeitsweise eines Oszilloskops;16 5.3;1.3 Bedienung eines Oszilloskops;21 5.4;1.4 Lernziel-Test;22 6;2 Lineare und nichtlineare Widerstände;23 6.1;2.1 Allgemeine Eigenschaften;23 6.2;2.2 Festwiderstände;25 6.3;2.3 Einstellbare Widerstände;32 6.4;2.4 Temperaturabhängigkeit von Widerständen;36 6.5;2.5 Heißleiterwiderstände und Kaltleiterwiderstände;37 6.6;2.6 Spannungsabhängige Widerstände;41 6.7;2.7 Lernziel-Test;45 7;3 Kondensatoren und Spulen;47 7.1;3.1 Kapazität;47 7.2;3.2 Kondensatoren;49 7.3;3.3 Kondensator im Gleichstromkreis;58 7.4;3.4 Kondensator im Wechselstromkreis;60 7.5;3.5 Reihen- und Parallelschaltung von Kondensatoren;63 7.6;3.6 Spulen;65 7.7;3.7 Spule im Gleichstromkreis;68 7.8;3.8 Spule im Wechselstromkreis;71 7.9;3.9 Reihen- und Parallelschaltung von Spulen;75 7.10;3.10 Lernziel-Test;77 8;4 Frequenzabhängige Zwei- und Vierpole;79 8.1;4.1 Allgemeines;79 8.2;4.2 Reihenschaltung von R und C;79 8.3;4.3 Reihenschaltung von R und L;80 8.4;4.4 RC-Glied;81 8.5;4.5 CR-Glied;83 8.6;4.6 RL-Glied;85 8.7;4.7 LR-Glied;86 8.8;4.8 Schwingkreise;87 8.9;4.9 RC-Glied als Integrierglied;97 8.10;4.10 CR-Glied als Differenzierglied;99 8.11;4.11 Lernziel-Test;101 9;5 Halbleiterdioden;103 9.1;5.1 Halbleiterwerkstoffe;103 9.2;5.2 Aufbau eines Halbleiterkristalls;104 9.3;5.3 Eigenleitfähigkeit;105 9.4;5.4 n-Silizium;106 9.5;5.5 p-Silizium;107 9.6;5.6 pn-Übergang;109 9.7;5.7 Arbeitsweise von Halbleiterdioden;115 9.8;5.8 Schaltverhalten von Halbleiterdioden;121 9.9;5.9 Temperaturverhalten von Halbleiterdioden;122 9.10;5.10 Halbleiterdioden als Gleichrichter;123 9.11;5.11 Halbleiterdioden als Schalter;128 9.12;5.12 Bauarten von Halbleiterdioden;129 9.13;5.13 Prüfen von Halbleiterdioden;132 9.14;5.14 Kennwerte und Grenzwerte;133 9.15;5.15 Lernziel-Test;135 10;6 Halbleiterdioden mit speziellen Eigenschaften;137 10.1;6.
1 Z-Dioden;137 10.2;6.2 Kapazitätsdioden;145 10.3;6.3 Tunneldioden (Esakidioden);149 10.4;6.4 Backwarddioden;152 10.5;6.5 PIN-Dioden;153 10.6;6.6 Schottky-Dioden (Hot-Carrier-Dioden);156 10.7;6.7 Lernziel-Test;157 11;7 Bipolare Transistoren;159 11.1;7.1 Allgemeines;159 11.2;7.2 Arbeitsweise von pnp-Transistoren;159 11.3;7.3 Arbeitsweise von npn-Transistoren;163 11.4;7.4 Spannungen und Ströme beim Transistor;165 11.5;7.5 Kennlinienfelder und Kennwerte (Emittergrundschaltung);167 11.6;7.6 Wahl des Transistorarbeitspunktes;173 11.7;7.7 Steuerung des Transistors;176 11.8;7.8 Restströme, Sperrspannungen und Durchbruchspannungen;180 11.9;7.9 Übersteuerungszustand und Sättigungsspannungen;183 11.10;7.10 Transistorverlustleistung;184 11.11;7.11 Temperatureinfluss und Arbeitspunktstabilisierung;187 11.12;7.12 Transistor-Rauschen;189 11.13;7.13 Transistordaten;192 11.14;7.14 Anwendungen;196 11.15;7.15 Lernziel-Test;201 12;8 Unipolare Transistoren;203 12.1;8.1 Sperrschicht-Feldeffekttransistoren (JFET);203 12.2;8.2 MOS-Feldeffekttransistoren (IG-FET);212 12.3;8.3 Dual-Gate-MOS-FET;225 12.4;8.4 Unijunktiontransistoren (UJT);226 12.5;8.5 Lernziel-Test;229 13;9 Integrierte Schaltungen;231 13.1;9.1 Allgemeines;231 13.2;9.2 Integrationstechniken;232 13.3;9.3 Analoge und digitale integrierte Schaltungen;237 13.4;9.4 Integrationsgrad und Packungsdichte;239 13.5;9.5 Vor- und Nachteile integrierter Schaltungen;239 13.6;9.6 Nanotechnik;240 13.7;9.7 Operationsverstärker;242 13.8;9.8 Lernziel-Test;248 14;10 Thyristoren;249 14.1;10.1 Vierschichtdioden (Thyristordioden);249 14.2;10.2 Thyristoren (rückwärtssperrende Thyristortrioden);253 14.3;10.3 Thyristortetroden;266 14.4;10.4 GTO-Thyristoren;268 14.5;10.5 Lernziel-Test;272 15;11 Diac und Triac;273 15.1;11.1 Diac;273 15.2;11.2 Triac;276 15.3;11.3 Steuerungen mit Diac und Triac;281 15.4;11.4 Lernziel-Test;284 16;12 Fotohalbleiter;285 16.1;12.1 Innerer fotoelektrischer Effekt;285 16.2;12.2 Fotowiderstände;286 16.3;12.3 Fotoelemente und Solar
zellen;288 16.4;12.4 Fotodioden;295 16.5;12.5 Fototransistoren;297 16.6;12.6 Fotothyristoren, Fotothyristortetroden;299 16.7;12.7 Leuchtdioden (LED);301 16.8;12.8 Halbleiterlaser;311 16.9;12.9 Lichtwellenleiter;313 16.10;12.10 Opto-Koppler;316 16.11;12.11 Lernziel-Test;318 17;13 Halbleiterbauelemente mit speziellen Eigenschaften;319 17.1;13.1 Hallgeneratoren;319 17.2;13.2 Feldplatten;323 17.3;13.3 Magnetdioden;325 17.4;13.4 Druckabhängige Halbleiterbauelemente;327 17.5;13.5 Flüssigkristall-Bauteile;328 17.6;13.6 Thin-Film-Transistor(TFT)-LCD-Bildschirme;332 17.7;13.7 Plasma-Displays (PDP = Plasma Display Panel);335 17.8;13.8 Lernziel-Test;336 18;14 Elektronen- und Ionenröhren;337 18.1;14.1 Thermoemission;337 18.2;14.2 Röhrendiode (Zweipolröhre, Vakuumdiode);337 18.3;14.3 Triode (Dreipolröhre);339 18.4;14.4 Tetrode (Vierpolröhre);344 18.5;14.5 Pentode (Fünfpolröhre);344 18.6;14.6 Elektronenstrahlröhren;348 18.7;14.7 Ionenröhren;352 18.8;14.8 Fotozellen;356 18.9;14.9 Lernziel-Test;359 19;15 Lösungen der Lernziel-Tests;360 20;Anhang;369 21;Glossar;378 22;Stichwortverzeichnis;379
